В IBM откриха как да намалят размера на транзисторите до 1,8 nm

Изследователи от IBM предлагат решение, в което се използва нов начин за съединяване на свръхтънки метални проводници и въглеродни нанотръбички. Той позволява да се намали ширината на контактите, без да се увеличава електрическото съпротивление и ще направи възможно създаването на микроелементи с размер до 1,8 nm.

Всички виждаме как през последните десетилетия електронните джаджи стават все по-малки и по-малки, а днес в полупроводниковите чипове вече се побират милиарди транзистори. Разбира се, всяко нещо си има предел, включително и физическите възможности на силициевите транзистори. В полупроводниковата индустрия този предел дори си има име – той е известен като “red brick wall”. Преди няколко дена обаче изследователите на компанията IBM се похвалиха, че са намерили начин за преодоляването на тази “тухлена стена” и евентуално да заменят традиционните силициеви транзистори с такива, направени от въглеродни нанотръбички.

Технологията, за която иде реч, е разработена от група учени от изследователския център Томас Уотсън на IBM, а научната статия, посветена на този технологичен пробив, вече е публикувана в журнала Science. Материалите, разбира се, са наситени с доста техническа и научна терминология, но накратко става въпрос за следното:

Основното предимство на предложеното от IBM решение е в използването на нов начин за съединяване на свръхтънки метални проводници и въглеродни нанотръбички, който позволява да се намали ширината на контактите, без да се увеличава електрическото съпротивление. Както знаете, именно съпротивлението, водещо до прегряване и електрическите утечки са главните проблеми пред по-нататъшното намаляване на силициевите микроелементи. Авторите на изобретението от IBM обаче твърдят, че тяхната разработка ще позволи да се създават микроелементи с размер до 1,8 nm, което ще обезпечи полупроводниковата индустрия за поне още четири поколения чипове занапред.


В IBM откриха как да намалят размера на транзисторите до 1,8 nm

© PCWorld България, pcworld

Условна конструкция на транзистор от въглеродни нанотръбички (CNT)

Освен това специалистите са убедени, че още в началото на следващото десетилетие разработката на IBM ще позволи ширината на контактите между споменатите два материала да се намали до направо смайващите 40 атома. Три години след достигането на този рубеж пък изследователите се надават да постигнат и още по-впечатляващо нито от само 28 атома.


В IBM откриха как да намалят размера на транзисторите до 1,8 nm

© PCWorld България, pcworld

Възможността за намаляване на електрическото съпротивление позволява не само да се обезпечи по-нататъшно намаляване на транзисторите и, съответно, на полупроводниковите чипове, но и да се излезе от застоя, в който индустрията се намира през последните десетина години. Разбира се, ще се увеличи и бързодействието на компютърните процесори.

В заключение остана да споменем също, че в публикациите относно разработката на IBM се разказва доста и за големите предимства на екзотичния и обещаващ, но с “труден характер“ материал, който се смята едва ли не за “Светия Граал” на полупроводниковата индустрия. Както сигурно се сещате, става въпрос за графена. Именно от него са направени еднослойните въглеродни нанотръбички, които представляват огънат  “лист” от въглерод с дебелина един атом. Интересно е да се отбележи също, че за първи път за възможно създаване на транзистори от такива въглеродни нанотръбички IBM спомена още през 2002 г.


В IBM откриха как да намалят размера на транзисторите до 1,8 nm

© PCWorld България, pcworld

Twitter icon Facebook icon
Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тук.