Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тук. Разбрах

По-подробно за 3D NAND: пробивът на паметта в третото измерение

3D NAND не е революция, но представлява важен етап в развитието на флаш паметта. За поразителен успех и масово разпространение на новата технология е рано да се говори, но трябва да се отбележи, че тя решава проблема с мащабирането и открива пътя към появата на евтини многотерабайтови SSD дискове … Дали обаче ще ги видим скоро?

19 октомври 2016
3792 прочитания
0 коментара
15 одобрения
0 неодобрения
Страница 2 от 3

Комерсиална история и перспективи


Първите комерсиални 3D микросхеми памет, се пускат в масови количества през 2004 г., на производствените мощности на тайванския завод на TSMC и то благодарение на инвестицията от $15 млн., получена от Nintendo. Чиповете са произведени по 150 nm технология за базовите слоеве и 130 nm за следващите. Matrix с гордост заявяваха, че са използвали само стандартни материали и са намалили стойността на паметта няколко пъти. Обаче, достатъчно неприятен сюрприз стана факта, че „3D Memory” е достъпна само за един запис - след което може да се използва само в качеството на ROM и заинтересуваните са производителите на игри и раразботчици на софтуер за мобилни платформи.
Разбира се създателите на функционално ограничения, но перспективен и евтин продукт изобщо нямали намерение да се примирят с постигнатото, но в 2005 г., компанията Matrix Semiconductor бива придобита срещу $238 млн. от SanDisk, която обявява намерението си да трансформира ROM паметта в такава за многократен запис. Новият собственик веднага сваля от пазара  3D Mеmоry. Официално обявена причина няма, но най-вероятна е, че тя се конкурира със собственият продукт на SanDisk - Gruvi Card-, също предназначен за еднократен запис и продажба на музика, филми и игри за потребителите на мобилни устройства. 

Кристалите на транзисторите на Matrix Semiconductor

Каквато и да е причината за прекратяването на продажбите, 3D паметта отива в задънена улица и за нея почти нищо не се чува чак до 2013 г., когато предният „пионер” се явява в лицето на Samsung, която обявява за началото на масово производство на SSD дискове по технология 3D V NAND (идва от Vertical NAND), базирани на 128 гигабитови чипове с 24 слоя транзистори. Както се разказваше в анонса, новата памет позволява да се чете и записва два пъти по-бързо, осигурява в порядък по дълъг срок на съхранение на данните на потребителите и намалена с 50% консумация на електроенергия. Достигането на такъв резултат и преодоляването на детските болести на тримерната памет, се е отдало благодарение на използването на не традиционната технология на транзистори с плаващ гейт, а памет с капанен заряд (Charge Trap Flash), за първи път използван от AMD през 2002 г и преобразуван от Samsung в цилиндрична форма. За съхраняване на електроните, тук се използва филм от силициев нитрид, което повишава надеждността, стените на клетките са направени доста по-дебели и поради това, не са чувствителни към утечки и е повишен процента на годните кристали.

Схема на вертикалната структура на 3D V-NAND: разрез на парче от осем слоя. С червен цвят са обозначени проводящите слоеве на поликристалния силиций, със сини – изолаторите от силициев диоксид. С ограденото е маркирана индивидуална клетка памет

Впрочем масовото производство на V-NAND малко се забави и позволи на другите производители на чипове, да обявят своите собствени разработки. Най-интересен беше съвместния анонс на Intel и Micron Technology. Още през 2006 г. беше създадено общо предприятие за разработка и производство на памети. По това време технологията позволяваше да се поместят в микросхемите само 32 слоя транзистори – в 256 гигабитови клетки MLC или 384 гигабитови TLC-, а след това обещаха и стандартни 2,5-инчови SSD дискове с обем от 10TB+.

Структура на тримерната памет на Micron
15 одобрения
0 неодобрения
Още от рубрика "Хардуер"
КОМЕНТАРИ ОТ  
КОМЕНТАРИ
Трябва да сте регистриран потребител, за да коментирате статията
"По-подробно за 3D NAND: пробивът на паметта в третото измерение"



    

абонамент за бюлетина