Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тук. Разбрах

Спасение за Закона на Муур: направиха транзистор с 1-нанометров гейт

Учени от Калифорнийския университет в Бъркли са направили нещо, което сравнително доскоро се смяташе за невъзможно, създавайки най-малкия в историята транзистор с дължина на затвора от 1 нанометър. Те са постигнали това, като са използвали въглеродни нанотръби и един нов материал - молибденов дисулфит.

12 октомври 2016
3814 прочитания
0 коментара
28 одобрения
2 неодобрения

На страниците на PC World през годините неведнъж сме споменавали за прословутия зако на Муур, който постулира редовно (на всеки две години) удвояване на плътността на електронен монтаж на елементите в интегралните схеми и съответното подобряване на характееристиките им. В повечето случаи за това става въпрос по повод на някое ново техническо достижение, което или продължава живота на този принцип или при новооткрито ограничение, което го обрича на „сигурна смърт“, а също и при някои ключови годишнини, като например отбелязания миналата година половинвековен юбилей на въпросния закон.

Спасение за Закона на Муур: направиха транзистор с 1-нанометров гейт

Този път поводът е от първия тип, а постижението - на учени от Националната лаборатория Лоурънс при Калифорнийския университет в Бъркли (UCB). Там специалистите са направили нещо, което сравнително доскоро се смяташе за невъзможно – създали са най-малкия в историята транзистор с дължина на затвора (гейта) от ... 1 нанометър!  Като се има предвид, че в момента най-масовите на пазара са полупроводниковите чипове с 20 nm размер на транзисторните гейтове, то посстижението на учените определено ще даде още някоя и друга година живот на Закона на Муур, който напоследък мнозина (в това число специалисти от самата Intel)  „погребваха“ неведнъж и дваж.

Прочетете още: Ще заживее ли втори живот Законът на Муур?

Спасение за Закона на Муур: направиха транзистор с 1-нанометров гейт

Цялото изследване е публикувано в научния журнал Science, но ще обобщим накратко основното от него и тук. Подобно на миналогодишния инженерен пробив на IBM, ключово за настоящия успех e било изплзването на въглеродни нанотръби. Те обаче не са били едиснтвеният скъп маатериал, използван от изследователите в Калифорнийския университет в Бъркли. Използван е бил също молибденов дисулфит (MoS2), който също е изиграл много важна роля.

Спасение за Закона на Муур: направиха транзистор с 1-нанометров гейт

 Работата е там, че с всяка стъпка на намаляване на размерите на транзисторите, става все по-трудно да се удържи контролът над движението на електроните – заради големите утечки на най-маалките микроелементи транзисторите просто престават да работят. Именно слой от молибденов дисулфит обаче в случая е помогнал на изследователите да преодолеят това ограничение. При преминаване през този маатериал електроните „натежават“, което е позволило да се намалят и размерите на гейта – чак до 1 nm.

Е, изглежда слуховете за смъртта на Закона на Муур отново ще се окажат силно преувеличени.

28 одобрения
2 неодобрения
Още от рубрика "Процесори"
КОМЕНТАРИ ОТ  
КОМЕНТАРИ
Трябва да сте регистриран потребител, за да коментирате статията
"Спасение за Закона на Муур: направиха транзистор с 1-нанометров гейт"



    

абонамент за бюлетина