Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тук. Разбрах

3D паметите на Intel и Micron с официален дебют на IDF 2015

На IDF 2015 Intel представи 3D Xpoint - енергонезависима памет, осигуряваща 10 пъти по-плътен запис и 1000 пъти по-висока пропускателна способност в сравнение с NAND Flash паметите. Технологията е еднакво подходяща за производство както на постоянна, така и на RAM памет, а първите комерсиални 3D Xpoint продукти от двата типа излизат догодина в рамките на линията Optane.

20 август 2015
5029 прочитания
26 одобрения
1 неодобрение

Ако доскоро 3D паметите се смятаха за бъдеще на memory технолгиите, то за Intel и Micron те вече са настояще, а съвсем скоро ще видим на пазара и техните първи комерсиални реализации. Това стана ясно по време на конференцията Intel Developers Forum 2015, която се провежда тези дни в Сан Франциско.На нея двете компании официално представиха своето ново решение в тази област, наречено 3D Xpoint.

3D Xpoint

Зад това наименование стои особен вид енергонезависима памет (т.е. такава която няма нужда от постоянно захранване, за да съхранява информацията), чийто принцип на действие се различава значително от популярните в днешно време NAND Flash памети. Докато за съхраняването на информация NAND Flash паметите използват електрони, “пленени” в затвора на транзистори, клетките на 3D Xpoint паметта просто променят съпротивлението си, за да разграничат “нулите” от “единиците”. А благодарение на това, че клетките не съдържат транзистор, плътността на съхранение на данни в новия тип памет е 10 пъти по-голяма от тази на NAND Flash. Достъпът до индивидуалните клетки се осъществява чрез съчетание на определени напрежения на пресичащи се проводници (от тук идва и названието XPoint, което се произнася като cross-point). Освен това клетките-памет са разположени в кристала на чипа в  слоеве (за момента само два), създавайки обемен фактор, а това слага в името на технологията и абревиатурата 3D.

Прочетете още: Нова 3D NAND флаш памет обещава 10-терабайтови SSD устройства

На теория 3D Xpoint паметта може да достигне и 1000 пъти по-висока пропускателна способност в сравнение с NAND Flash. Това все още е по-малко от това, на което е способна DDR4 SDRAM паметта, но е съвсем приемливо за това 3D Xpoint технологията да се използва и в модули оперативна памет. А в това има смисъл и поради факта, че DIMM модулите на базата на 3D XPoint ще са с по-голям обем и на по-ниски цени в сравнение с DDR4 DIMM пакетите.

3D Xpoint m.2 SSD

В крайна сметка всичко това оправдава и комерсиализацията на технологията, която ще е факт съвсем скоро. През 2016 г. Intel ще представи обширна линия устройства на базата на новия тип памет под търговска марка Optane. Става въпрос за SSD устройства за PCIe шини в различен формат – разширителни карти, 2,5-инчови носители с U.2 конектор и компактни планки за лаптопи (M.2). Освен устройства за съхранение, в линията Optane ще влизат и DIMM модули за Xeon-базирани сървъри. Според официалната информация, тези модули ще бъдат напълно съвместими с DDR4 SDRAM интерфейса до степен, която ще позволява дори съвместно използване на планки от двата типа в рамките на една система. Чиповете за всички тези памети ще се произвеждат от компанията Micron по 20-нанометров технологичен процес. 

На IDF 2015 беше демонстриран работен прототип на Optane памет под формата на PCIe карта. На демонтрсаицята беше подчертано, че по брой операции в секунда това устройство е 5 до 7 пъти по-производително от полупроводников диск от корпоративен клас Intel SSD DC P3700. Освен това 3D XPoint има по-симетрична производителност при четене и запис, благодарение на това, че и двете операции се изпълняват в блокове, съответстващи на ширината на memory шината.

26 одобрения
1 неодобрение
КОМЕНТАРИ ОТ  
абонамент за бюлетина