Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тук. Разбрах

Учени създадоха 9-нанометров въглероден транзистор

При този размер на микроелементите въглеродните транзистори преодоляват физическите ограничения на силиция и позволяват постигането на значително по-добри параметри - макар и засега само в лабораторни условия.

30 януари 2012
9229 прочитания
24 одобрения
0 неодобрения

Повече от 10 години IBM изследва възможностите за използване на въглеродни нанотръби като заместител на силиция в микроелектрониката, затова не е случайно, че компанията вече минава от теоретичния етап към практиката. Поредният индикатор за това идва с една от най-новите разработки на "голямата синя", с която инженерите на компанията са определили максималния размер на базираните на въглеродни нанотръби транзистори, при който използването на такъв материал е оправдано.

IBM nanotube transistor


Според скорошна публикация в Technology Review, по експериментален път учените установили, че този размер е 9 nm – с един нанометър по-малко, отколкото теоретичния предел за минимални габарити на силициев транзистор (след който влизат в сила съсвсем реални физически ограничения). С други думи, ако се направи по-голям по размер "въглероден" транзистор, неговото енергопотребление ще бъде аналогично на това на силициевите транзистори. Т.е. въглеродните нанотраби ще могат ефективно да заменят силиция в микроелектрониката тогава, когато последният достигне своя физически предел.

IBM 9nm transistor


В същото време, създаденият от специалистите на IBM въглероден транзистор ще позволи не само да се миниатюризират значително размерите на електронните компоненти. но и да се намали, при това в пъти, тяхното енергопотребление. За съжаление, засега проектът за най-малкия транзостор в света все още е само в етап на лабораторни експерименти, така че е твърде рано да се говори за комерсиална употреба на технологията.

Остана да припомним, че към настоящия момент най-малките комерсиално налични силициеви транзистори се произвеждат по 22-нанометров технологичен процес, макар че в Intel твърдят, че вече имат и готови 14-нанометрови чипове. Постигането на такава миниатюризация обаче отне на силициевия гигант няколко десетилетия и наложи съществени промени в структурата на транзисторите, включително чрез преминаване от "планарна" компановка към обемна такава (т.нар. Tri-Gate). 

24 одобрения
0 неодобрения
КОМЕНТАРИ ОТ  
абонамент за бюлетина