От IBM съобщават, че "голямата синя" и Micron Technology ще започнат производството на ново устройство за съхранение на данни, което ще бъде изградено с помощта на CMOS (complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor) технология и вертикални електрически проводници (Тhrough-silicon vias - TSV). Според официалната информация, усъвършенстваният процес на IBM за производство на TSV чипове ще даде възможност на технологията Hybrid Micron Memory Cube (HMC) на Micron Technology да постигне скорост на трансфер, която е 15 пъти по-висока от тази на съвременните технологии за съхранение на данни. Освен това, storage технологията HMC изисква 70% по-малко енергия за трансфер на данни при размери, които са само 10% от габаритите на традиционните устройства за съхранение на данни.
"HMC дава гъвкаво решение за съхранение на информация, което измерва количеството трансферирани данни, като същевременно е и енергийно ефективно.", пояснява Скот Греъм, генерален мениджър на DRAM Solutions в Micron, според когото "благодарение на сътрудничество си с IBM, Micron ще предложи най-добрите решения за съхранение на информация."
Частите за HMC ще бъдат изработвани във фабриката за полупроводници на IBM в East Fishkill, в Ню Йорк, като при производството ще се използва технологията High-K/Metal Gate за изработване на 32nm.
IBM представи TSV технологията на тазгодишната международна среща IEEE International Electron Devices Meeting. Освен тази технология компанията представи и още няколко изследователски открития, които биха могли да спомогнат за създаването на значително по-малки, по-бързи и по-мощни компютърни чипове. Учените от IBM успешно са разработили и използвали нови материали и архитектура на пластина с диаметър 200 мм. За изработката на пластината изследователите са използвали графен, въглеродни нанотръби и Racetrack памет. Тези открития биха могли да предоставят нова технологична основа за обединяване на компютърни системи, комуникации и потребителска електроника, смятат в IBM.
