- Бизнес: Капитал, Кариери, Пазари, Ho Re Mag, Регал, Строителство Градът, Одит, Индекс Имоти, Foton.bg, Klikshop.bg
- Новини: Дневник, Европа, Foreign Policy - България
- Информационни технологии: IDG.bg, Computerworld, PC World, CIO, Networkworld
- Развлечение: Бакхус
- In English: The Sofia Echo
Само няколко месеца след като съвместното предприятие на Intel и Micron - IM Flash Technologies (IMFT) – започна масовата експлоатация на 20-нанометровия технологичен процес за производство на флаш-памети, двете компании се похвалиха, че са направили първия в света MLC (multi level cell) NAND флаш-чип с капацитет 128 Gb (или 16 GB).
Това на практика е двойно увеличение на плътността на запис в сравнение с досегашните 20 nm решение от този тип, като според уверенията на разработчиците също толкова е увеличена и производителността – със скорости на трансфер, достигащи вече 333 МТ/s. С други думи, на основата на въпросното достижение ще могат да се създават по-ефективни и по-евтини твърдотелни (SSD) устройства за съхранение за смартфони, таблети и други системи. Т.е. като се използват осем броя от новия 128-гигабитов NAND флаш чип ще могат да се правят SSD storage модули с вместимост 128 GB с размери колкото нокът.

Според официалната информация от двете компании, през януари 2012 г. ще започнат доставките на първите тестови образци на новите 128 Gb MLC NAND флаш-чипове, а през първата половина на следващата година ще стартира и тяхното масово производство. Междувременно Intel и Micron обявиха началото на серийното производство на 20-нанометрови NAND памети с капацитет 64 Gb (8 GB).

















