Макар че в близко бъдеще познатата DRAM памет ще продължи да доминира на пазара, някои производители вече започват да се замислят за следващите стъпки в развитието на memory технологиите за съхраняване на информация. Двама от тях са Toshiba и Hynix, които тези дни подписаха споразумение за сътрудничество, според което двете компании ще започнат съвместна работа над новия стандарт MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory).

MRAM се отнася към енергонезависимите типове памет (т.е. такива, които не изискват постоянно захранване, за да "помнят" информацията) и характерно за нея е, че използва не електрически заряди, а магнитни полета. От гледна точка на енергоефективността тази технология е по-изгoдeн в сравнение с DRAM, така че новият тип памети ще е много по-удобен за ползване в мобилни устройства. И тъй като бързодействието също не е слабо място на MRAM, очаква се с течение на времето тази технология да измести най-разпространената в момента DRAM (макар че засега Toshiba и Hynix не се ангажират с конкретни срокове).

Междувременно от южнокорейския гигант Samsung пък съобщават за сериозен прогрес в разработката на т.нар. резистивна памет за произволен достъп RRAM (Resistive Random Access Memory) – инженерите на компанията са успели да увеличат значително жизнения цикъл на този тип памети. Казано иначе, корейците са разработили прототип на RRAM памет, който дава възможност за осъществяване на до трилион цикъла на презапис – 1 млн. пъти повече, отколкото позволяват съвременните стандартни флаш-базирани чипове.

Характерно за разработваната от Samsung RRAM памет е, че в нея се използват структури на основата на тантал, а не на силиций, на който разчитат традиционните memory технологии. Това дава възможност както за увеличена трайност на новия тип изделия, така и за отговор на всички изисквания, каквито съществуват сега към флаш-паметите – те осигуряват висока плътност на записа, висока скорост за промяна на състоянието на memory клетките и ниско ниво на енергопотребление. И от Samsung обаче не се наемат да прогнозират кога евентуално можем да очакваме влизането на RRAM паметите в етап на комерсиална употреба.