По всичко личи, че прогнозата отпреди няколко години, че към 2012 г. ще минем към използването на оперативна памет от тип DDR4, е много достоверна и като нищо може да се сбъдне. Една от индикациите за това беше анонсът на технологичния гигант Samsung, който в самото начало на годината съобщи, че е готов със своите DDR4 модули. Сега идва подобна информация и от друг голям производител на полупроводникови изделия – компанията Hynix, която съобщава, че също е разработила нови чипове DDR4 памет, както и базирани на тях модули от тип DDR4 ECC-SODIMM (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Modules) с капацитет 2 GB.

Според наличната информация, Hynix DDR4 ECC-SODIMM memory модулите са базирани на чипове, произвеждани по 30-нанометров технологичен процес. Въпросните устройства работят на честота 2400 MHz при напрежение 1,2V, като скоростта на пренос на данни по 64-битовия I/O интерфейс е 19,2 GB/s, твърдят още от компанията.

В Hynix възнамеряват да стартират масовото производство на споменатите чипове и модули DDR4 RAM памет през втората половина на 2012 г., като ще се предлагат модели не само за сървърни и настолни компютърни системи, но и за таблети.