Samsung Electronics официално съобщи, че е приключила разработката на първия DRAM модул памет DDR4. Напомняме, че дебютните DRAM модули DDR (1997 г.), DDR2 (2001 г.) и DDR3 (2005 г.)  също бяха разработени от южнокорейския електронен гигант.

По думите на производителя, паметта е реализирана по 30 nm технологичен процес, работи на честота 2,133 GHz, обемът е 2 GB, а работното напрежение – 1,2 волта. Отбелязва се, че в изделието е реализирана технологията Pseudo Open Drain (POD) Technology, благодарение на която модулът консумира с 40% по-малко енергия в сравнение с DDR3  със захранващо напрежение 1,5 V.

Samsung Electronics планира да си сътрудничи с много от производителите на сървъри с цел да помогнат на организацията JEDEC  окончателно да утвърди спецификацията на стандарта DDR4 през втората половина на тази година.